2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[19p-C309-1~16] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2019年9月19日(木) 13:45 〜 18:30 C309 (C309)

井原 章之(情通機構)、中岡 俊裕(上智大)

16:45 〜 17:00

[19p-C309-10] 共振器付き多積層量子ドットによるフォトンエコー生成効率の増強

〇(M1)佐相 和哉1、井手 隆太郎1、赤羽 浩一2、早瀬 潤子1 (1.慶大理工、2.NICT)

キーワード:量子ドット、フォトンエコー

InAs量子ドット集合体とフォトンエコー法を組み合わせた手法は10 THzにも及ぶ帯域をもつ広帯域量子インターフェースとして注目されているがフォトンエコー生成効率の低さが課題である。生成効率の理論的上限値は共振器構造を付加しない多積層量子ドットの場合は5 %にとどまっているが、本研究では多積層量子ドットと共振器を組み合わせた構造を作製し、光と量子ドットとの相互作用を増強することでPE生成効率の増強に成功した。