[19p-E204-1~12] 3.13 Semiconductor optical devices

[19p-E204-9] Responsivity measurement of semiconductor membrane photodiode with backend distributed-Bragg-reflector

〇(M2)Koichi Saito¹, Xu Zheng¹, Takamasa Yoshida¹, Tomohiro Amemiya^1,2, Nobuhiko Nishiyama^1,2, Shigehisa Arai^1,2 (1.Tokyo Tech, 2.IIR)

Keywords:backend distributed-Bragg-reflector, photodiode, membrane structure

近年、LSIのグローバル配線におけるRC遅延や発熱などの問題に対応するため、電気配線から光配線への置き換えが注目されている。そのような中、我々のグループでは薄膜光集積回路をLSI上にハイブリッド実装する技術を提案しており、そこで用いる受光器として、高速化と高感度化を同時に実現できるGaInAs薄膜p-i-nフォトダイオード(PD)の開発を行ってきた。
現在までに、GaInAs吸収層後部に分布反射器を導入することで、レーザへの戻り光を-30 dB程度に保ったまま素子長を57 %程度短縮できることが理論計算により見積もられている。今回、上記設計にもとづいて、実際に分布ブラッグ反射器（DBR）を導入したGaInAs薄膜PDの試作・評価を行ったので、その詳細を述べる。