[19p-E205-1~19] 3.6 Ultrashort-pulse and high-intensity lasers

[19p-E205-18] Characterization of undoped and doped silicon substrates using dual-comb spectroscopy

〇(M1)Tatsuhiro Fukuda¹, Shinnichi Watanabe¹, Makoto Okano¹ (1.Leio Univ.)

Keywords:dual-comb, silicon

デュアルコム分光法は位相と振幅の情報を取得することができるため複素誘電率を直接測定することができ、新しい物性評価法として期待されている。半導体シリコンはドーピングを行うことで電気伝導性を制御することができるため、非ドープ・ドープシリコンに対してデュアルコム分光測定を行い、その光学特性の違いを評価した。測定の結果、ドープの有無によって透過率が大きく異なるという結果が得られた。