The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

Joint Session M » 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[19p-E214-1~12] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

Thu. Sep 19, 2019 1:15 PM - 4:45 PM E214 (E214)

Tsunehiro Takeuchi(Toyota Technol. Inst.), Takanobu Watanabe(Waseda Univ.), Tsuyohiko Fujigaya(Kyushu Univ.)

3:00 PM - 3:15 PM

[19p-E214-7] Phonon Dispersion Measurements for Bulk Si1-xGex (x=0.72) Crystal by Inelastic X-ray Scattering

Ryo Yokogawa1,2, Yuya Oyanagi1, Hiroshi Uchiyama3, Satoshi TsuTsui3, Ichiro Yonenaga4, Atsushi Ogura1 (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.JASRI, 4.Tohoku Univ.)

Keywords:Inelastic X-ray scattering, SiGe, Phonon dispersion

近年、電子デバイス、熱電素子などへの幅広い応用が期待される新半導体材料としてSiGeが注目されており、その材料特性を司る指標の一つにフォノン分散が挙げられる。しかしながら汎用的なSiやGe結晶と異なり、混晶材料のフォノン散乱機構は複雑で、分散測定例が乏しい。本研究では、meV分解能でフォノンスペクトルが観測可能なX線非弾性散乱法を用いてSiGe混晶単結晶のフォノン分散測定を試行したので報告する。