[19p-E214-1~12] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[19p-E214-7] Phonon Dispersion Measurements for Bulk Si_1-xGe_x (x=0.72) Crystal by Inelastic X-ray Scattering

〇Ryo Yokogawa^1,2, Yuya Oyanagi¹, Hiroshi Uchiyama³, Satoshi TsuTsui³, Ichiro Yonenaga⁴, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.JASRI, 4.Tohoku Univ.)

Keywords:Inelastic X-ray scattering, SiGe, Phonon dispersion

近年、電子デバイス、熱電素子などへの幅広い応用が期待される新半導体材料としてSiGeが注目されており、その材料特性を司る指標の一つにフォノン分散が挙げられる。しかしながら汎用的なSiやGe結晶と異なり、混晶材料のフォノン散乱機構は複雑で、分散測定例が乏しい。本研究では、meV分解能でフォノンスペクトルが観測可能なX線非弾性散乱法を用いてSiGe混晶単結晶のフォノン分散測定を試行したので報告する。