2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[19p-E304-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2019年9月19日(木) 13:45 〜 17:15 E304 (E304)

角嶋 邦之(東工大)、羽深 等(横国大)

13:45 〜 14:00

[19p-E304-1] ミニマルマイクロプラズマエッチング装置のデバイス適用

田中 宏幸1,2、古賀 和博2、小木曽 久人1,2、中野 禅1,2、新堀 俊一郎2,3、岩瀬 千克2,3、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.三友製作所)

キーワード:マイクロプラズマ、ミニマル、エッチング

マイクロプラズマは小型という点でミニマルファブに適しているが、ガス噴射部自体をプラズマ化するためガス乱流による不安定さの課題があった。ミニマルファブではウェハステージをスキャンすることでその本質的問題を克服してきた。しかし、これまでデバイスへの応用については報告してこなかった。今回は既に半導体デバイスプロセスとして実用となっているマイクロプラズマについて、その集積回路プロセス応用事例を報告する。