The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[19p-E304-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

Thu. Sep 19, 2019 1:45 PM - 5:15 PM E304 (E304)

Kuniyuki Kakushima(Tokyo Tech), Hitoshi Habuka(Yokohama Natl. Univ.)

2:45 PM - 3:00 PM

[19p-E304-5] Characteristics of H2-Syntering Process Using Minimal Focused Light Heating Furnace

Noriko Miura1,2, Kazushige Sato1, Fumito Imura1,3, Takeshi Yamada1,2, Takeshi Aizawa1,2, Shinichi Ikeda1,3, Yuuki Ishida1,3, Yasuhiro Onishi1,2, Sommawan Khumpuang1,3, Shiro Hara1,3 (1.MINIMAL, 2.YONEKURA, 3.AIST)

Keywords:minimalfab, H2-Syntering, furnace

我々はミニマル加熱装置として、抵抗加熱炉、レーザ加熱炉、集光加熱炉の3種類の異なる加熱方式の装置を開発しており、既に、ゲート酸化プロセスでは、いずれの加熱装置でも実用レベルのトランジスタ特性を得ている。一方、H2シンタリングプロセスでは、レーザ加熱炉以外での評価は行っていなかった。本研究では、ミニマル集光加熱炉でH2シンタリング処理を行い、その特性について報告する。