2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[19p-E308-1~13] 17.3 層状物質

2019年9月19日(木) 13:15 〜 16:45 E308 (E308)

種村 眞幸(名工大)、有江 隆之(阪府大)

15:30 〜 15:45

[19p-E308-10] Si(111)微傾斜基板のオフ方向が2D-In2Se3薄膜の結晶方位に与える影響

川勝 桂1、Yu-Cian Wang1、小島 信晃1、大下 祥雄1、山口 真史1 (1.豊田工大)

キーワード:III-VI 族半導体、層状物質、MBE成長

これまで我々は, 二次元化合物半導体In2Se3のMBE成長において,成長基板にSi(111) 4°微傾斜基板(オフカット方向[11-2])を用いることで双晶ドメイン成長を抑制ができたことを報告した.今回, 双晶ドメイン成長の抑制において,Si(111)微傾斜基板のオフカット方向([11-2]方向と[1-10]方向)における表面ステップ構造の違いに依存性があることを報告する.