[19p-E310-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-E310-14] 横型擬似位相整合AlN導波路による第二高調波発生の原理実証

〇山内 あさひ¹、山口 修平¹、小野寺 卓也¹、林 侑介²、三宅 秀人²、彦坂 年輝³、布上 真也³、塩見 圭史¹、藤原 康文¹、芹田 和則¹、川山 巌¹、斗内 政吉¹、上向井 正裕¹、片山 竜二¹ (1.大阪院工、2.三重院工、3.㈱東芝)

キーワード：非線形光学デバイス

窒化物半導体は強誘電体に匹敵する光学非線形性を有しており、波長変換デバイスへの応用が期待されている。我々は、周期的分極反転を伴う縦型擬似位相整合（縦型QPM）構造より容易に作製可能かつ従来構造と同等の波長変換効率を実現できる新規構造として、分極を面内一斉に反転して積層した横型QPM構造を提案してきた。本研究では、横型QPM SHGAlN導波路を作製し、第二高調波発生（SHG）その原理実証に初めて成功したので、これを報告する。