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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-E310-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月19日(木) 13:15 〜 19:00 E310 (E310)

荒木努(立命館大)、片山竜二(阪大)、石井良太(京大)

18:15 〜 18:30

[19p-E310-18] Si(111)基板上GaNのためのMgF₂バッファの検討

〇神林郁哉¹、星井拓也¹、角嶋邦之¹、若林整¹、筒井一生¹ (1.東工大)

キーワード：フッ化マグネシウム、Ｘ線回折