The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-E310-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

Thu. Sep 19, 2019 1:15 PM - 7:00 PM E310 (E310)

Tsutomu Araki(Ritsumeikan Univ.), Ryuji Katayama(Osaka Univ.), Ryota Ishii(Kyoto Univ.)

2:00 PM - 2:15 PM

[19p-E310-3] Time-resolved photoluminescence spectroscopy for a GaN crystal by multiple-photon excitation (I)

Tomoyuki Tanikawa1, Kazunobu Kojima2, Takumi Kasuya2, Shigefusa Chichibu2, Atsushi Tanaka3, Yoshio Honda2, Hiroshi Amano3, Masahiro Uemukai1, Ryuji Katayama1 (1.Osaka Univ., 2.IMRAM, Tohoku Univ., 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, Multiphoton-Excitation Photoluminescence, Time-Resolved Photoluminescence

多光子励起過程を利用した時間分解PL測定を行い、転位の集中箇所と発光寿命との対応を調べた。HVPE法で作製されたc面GaN結晶を用い、バンド端近傍発光のマッピング測定を行い、転位集中領域と30 μm離れた箇所の発光寿命を室温で測定した。転位集中領域は、暗点が集中しており非輻射再結合確立が高く、発光寿命は0.25 nsecと短かった。転位集中領域から30 μm離れた領域では転位密度は107 cm-2程度で、発光寿命は1.42 nsec程度だった。