[19p-E312-1~13] 6.2 Carbon-based thin films

[19p-E312-5] Fluorescence change of NV center by annealing with alkali metal

〇Hiroki Takehana¹, Takahiro Tamura¹, Takashi Yanase¹, Taro Nagahama¹, Toshihiro Shimada¹ (1.Hokudai Univ.)

Keywords:NV center

NV中心はその優れた物理的性質より、量子センサーへの応用が期待されている。NV中心にはNV⁰とNV^－という二つの電荷状態があり、センサーに応用可能であるのはNV^－のほうである。よってNV中心の電荷の制御は重要な課題となる。本研究では外部から化学的に電荷を注入する可能性を探るため、金属Naを用いたアニール処理により表面から電子を送り込みNV^－の割合を増やすことができるかどうか実験的に検討した。