The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

3 Optics and Photonics » 3.12 Nanoscale optical science and near-field optics

[19p-E314-1~11] 3.12 Nanoscale optical science and near-field optics

Thu. Sep 19, 2019 1:00 PM - 4:00 PM E314 (E314)

Wataru Nomura(Tokyo Denki Univ.), Hayato Saigo(Nagahama Inst. Bio-Sci. Tech.)

3:15 PM - 3:30 PM

[19p-E314-9] Visible light emission from a Si diode fabricated by the dressed photon-phonon anneealing.

〇(B)Haruto Oda1, Tadashi Kawazoe1, Takashi Tadokoro1 (1.TDU)

Keywords:dressed photon, light emitting diode, silicon

高効率の発光ダイオードには電子-正孔放射再結合の確率が高い直接遷移型半導体が使用されている。我々は間接遷移半導体であるSiを用い、DPP(ドレスト光子フォノン)アニールによって効率の高い赤外発光素子の作製、また、その可視発光の確認も行っている。今回、より効率の高い可視発光素子実現のためPN接合面が発光面に対し垂直になる構造をもつ素子を作製し、その可視発光を確認したので報告する。