[19p-E315-1~7] 13.9 Compound solar cells

[19p-E315-5] Electronic Structure of CdS/Cu(In,Ga)(S,Se)₂: Band Bending and Surface Photovoltage

〇(M1)Shimon Ajisaka¹, Renji Takahashi¹, Yusei Takagi¹, Yoshiaki Hirai², Takuya Kato², Hiroki Sugimoto², Norio Terada¹ (1.Kagoshima Univ., 2.Showa Shell Sekiyu)

Keywords:semiconductor, compound thin film solar cell, surface photovoltage

カルコゲナイド系太陽電池の性能の支配要因の一つであるバッファ層/光吸収層接合を最適化する際、バンド接続の評価に加えて、光応答、バッファ層厚依存性を併せることで、最小限必要なバッファ層厚等の基盤的知見が得られる。本講演ではCdS /Cu(In,Ga)(S,Se)₂ 界面を正・逆光電子分光法、ケルビンプローブ顕微鏡、表面光起電力分光法により評価した結果を報告する。