[19p-E315-1~7] 13.9 化合物太陽電池

[19p-E315-5] CdS/Cu(In,Ga)(S,Se)₂ 構造の電子状態:界面バンド湾曲、表面光起電力の評価

〇(M1)鯵坂 偲文¹、高橋 蓮司¹、高木 佑誠¹、平井 義晃²、加藤 拓也²、杉本 広紀²、寺田 教男¹ (1.鹿児島大、2.昭和シェル石油)

キーワード：半導体、化合物薄膜太陽電池、表面光起電力

カルコゲナイド系太陽電池の性能の支配要因の一つであるバッファ層/光吸収層接合を最適化する際、バンド接続の評価に加えて、光応答、バッファ層厚依存性を併せることで、最小限必要なバッファ層厚等の基盤的知見が得られる。本講演ではCdS /Cu(In,Ga)(S,Se)₂ 界面を正・逆光電子分光法、ケルビンプローブ顕微鏡、表面光起電力分光法により評価した結果を報告する。