[19p-E317-1~20] 9.2 Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets

[19p-E317-20] Thin film field-effect-transistors based on CdSe/ZnS quantum dots

〇Sunao Shimizu¹, Kazumoto Miwa¹, Daniele Braga², David J. Norris³, Shimpei Ono¹ (1.CRIEPI, 2.Fluxim AG, 3.ETH Zurich)

Keywords:colloidal quantum dots, field effect transistor

本講演では、CdSe/ZnSコアシェル型量子ドットトランジスタの作製について報告する。CdSe/ZnSは、コアのバンドギャップがシェルよりも小さいタイプI型のバンドアライメントを有する。厚さ300nmのSiO₂層を有するSi基板上に、厚さ約170 nmのCdSe/ZnS量子ドット薄膜を作製したところ、n型のトランジスタとして動作することが確認できた。当日はこのCdSe/ZnS量子ドットトランジスタの電気特性、膜厚依存性、光応答特性などを議論したい。