[19p-N302-1~9] New spintronic materials and their physical properties

[19p-N302-9] Ultrahigh performance pure spin current source using BiSb topological insulator

〇PHAM Nam Hai^1,2,3, Nguyen Huynh Duy Khang¹, Takanori Shirokura¹, Kenichiro Yao¹ (1.Tokyo Tech, 2.Univ. Tokyo, 3.JST-CREST)

Keywords:Topological insulator, Spin Hall effect, SOT-MRAM

近年トポロジカル絶縁体における巨大なスピンホール効果が報告されている。これらの材料では1を超えるスピンホール角が示されており純スピン注入源として用いることでスピン軌道トルク磁気抵抗メモリ(SOT-MRAM)における低電流かつ高速な磁化反転技術が期待できる。本研究では、キャリア移動度が高いかつ表面状態が多いBi_1-xSb_x合金を用いることで高い電気伝導率と巨大なスピンホール角が両立できることを実証した。当日に、BiSbを用いる超高性能純スピン注入源の実用化に向けた我々の取り込みについて紹介する。