[19p-PA5-1~12] 3.11 Photonic structures and phenomena

[19p-PA5-6] Decrease of the Threshold for Raman Silicon Nanocavity Laser by Increasing Q factors

〇(M1)Taro Kawakatsu¹, Takashi Asano², Susumu Noda², Yasushi Takahashi¹ (1.Osaka Pref. Univ., 2.Kyoto Univ.)

Keywords:silicon photonics, Raman Silicon Laser, nanocavity

我々は高Q値ナノ共振器を用いたシリコンラマンレーザを開発してきた．本デバイスは1 mW以下の低閾値を達成している．この閾値をさらに低くすることはさまざまな応用に向けて重要と考えられる．本レーザの閾値は，2つの共振モードのQ値の積に反比例すると判明している．本研究ではQ値を数倍程度高めたナノ共振器ラマンレーザにおける発振閾値の低減について調べた．