The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[19p-PA7-1~10] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

Thu. Sep 19, 2019 4:00 PM - 6:00 PM PA7 (PA)

4:00 PM - 6:00 PM

[19p-PA7-10] Dependence of electrode size on operation energy in Cu2GeTe3 phase change memory

〇(M1)Taira Iijima1, Daisuke Ando1, Yuji Sutou1, Jun Seop An2, Yun Heub Song2 (1.Tohoku Univ., 2.Hanyang Univ.)

Keywords:chalcogenide materials

相変化メモリの低消費電力での動作には相変化材料の融点が低いことが求められる。実用材であるGe2Sb2Te5(GST)は融点が高く、結晶化温度が低いという課題があり、我々のグループでは低融点、高結晶化温度であるCu2GeTe3(CGT)を提案している。CGT相変化メモリにおける動作エネルギーの電極面積依存性が明らかになっていないため調査したところ、CGT相変化メモリの方がGST相変化メモリに比べ動作エネルギーに及ぼす電極面積依存性が強いことがわかった。