[19p-PA7-1~10] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[19p-PA7-9] GeTe薄膜におけるサイクリックボルタンメトリーとガンマ線照射の影響

〇(M1)渡部 達也¹、朴 孝晟¹、依田 功²、正光 義則³、川﨑 繁男³、中岡 俊裕¹ (1.上智理工、2.東工大、3.宇宙航空研究開発機構)

キーワード：テルル化ゲルマニウム、ガンマ線、サイクリックボルタンメトリー

Ge-(Sb)-Te薄膜は相変化メモリ等に応用されている代表的な相変化材料である。我々はGe-(Sb)-Te薄膜におけるAgの異常拡散を放射線センサーに応用する取り組みを報告してきた。本研究ではGeTe薄膜におけるAgの異常拡散に至る過程であるAgのイオン伝導に着目し、酸化還元電流においてガンマ線照射による変化を得たのでこれを報告する。