[19p-PB2-1~7] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[19p-PB2-2] Resistance change behavior of Ti/HfO₂/Au ReRAM device under DC voltage pulses

〇Masahiro Morimoto¹, Rintaro Hatanaka¹, Tomohiro Shimizu¹, Takeshi Ito¹, Shoso Shingubara¹ (1.Kansai Univ.)

Keywords:Restive Random Access memory, Neural computing, Neuromorphic synaptic device

抵抗変化メモリ(ReRAM)は次世代不揮発性メモリとして脚光を浴びているのみならず、ニューラルコンピューティング分野にて人工シナプス素子への応用可能性がある。我々はTi/HfO₂/Au構造のReRAMを作製し、抵抗変化挙動の電圧パルス条件依存性を評価した.その結果、RESET時において適切な定電圧パルス列を与えると、抵抗値が緩やかに変化し、人工シナプス素子に適する特性を示すことが分かった.