[19p-PB2-1~7] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[19p-PB2-2] Ti/HfO₂/Au-ReRAMにおける直流パルス印加による抵抗変化挙動

〇森本 雅大¹、畠中 林太郎¹、清水 智弘¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹ (1.関大シス理)

キーワード：抵抗変化メモリ、ニューラルコンピューティング、人工シナプス素子

抵抗変化メモリ(ReRAM)は次世代不揮発性メモリとして脚光を浴びているのみならず、ニューラルコンピューティング分野にて人工シナプス素子への応用可能性がある。我々はTi/HfO₂/Au構造のReRAMを作製し、抵抗変化挙動の電圧パルス条件依存性を評価した.その結果、RESET時において適切な定電圧パルス列を与えると、抵抗値が緩やかに変化し、人工シナプス素子に適する特性を示すことが分かった.