[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-13] Effects of forming gas annealing on electrical properties of
Pt/ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTsⅡ

〇Nobuki Yoshida¹, Keita Furuoka¹, Toshiharu Kubo¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. of Tech)

Keywords:semiconductor, GaN

ゲート金属にPtを用いた作製したPt/ALD- Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTに対し、フォーミングガス雰囲気中でのゲート金属形成後の熱処理(FG-PMA)がデバイスに及ぼす電気特性、化学的特性への影響の評価