1:30 PM - 3:30 PM
[19p-PB3-16] XPS Study on Plasma Oxide Layer of InAlN
Keywords:InAlN, Plasma, XPS
次世代通信デバイス向け材料として期待されるInAlN/GaNヘテロ構造は、高い自発分極に起因したリーク電流を抑制するため、絶縁膜との組み合わせが必須である。しかし、絶縁膜とInAlNとの界面の制御技術が確立されていない。本報告においては、界面制御層として有用であるプラズマ酸化膜について、酸化時間を変えて形成を行い、XPSにより評価した。