[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-16] XPS Study on Plasma Oxide Layer of InAlN

〇(M1)Yuya Kitawaki¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE Hokkaido Univ)

Keywords:InAlN, Plasma, XPS

次世代通信デバイス向け材料として期待されるInAlN/GaNヘテロ構造は、高い自発分極に起因したリーク電流を抑制するため、絶縁膜との組み合わせが必須である。しかし、絶縁膜とInAlNとの界面の制御技術が確立されていない。本報告においては、界面制御層として有用であるプラズマ酸化膜について、酸化時間を変えて形成を行い、XPSにより評価した。