2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2019年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 PB3 (第二体育館)

13:30 〜 15:30

[19p-PB3-5] 電気化学インピーダンス法を用いたn-GaN加工表面の評価 (2)

武田 健太郎1、渡久地 政周1、佐藤 威友1 (1.北大量集セ)

キーワード:電気化学インピーダンス分光法、PECエッチング

これまでに、n型GaN表面に導入された加工損傷を、溶液中の光電気化学(PEC)反応を利用して除去する低損傷エッチング法を開発し、その効果を溶液中でその場(in-situ)評価する手法を検討してきた。今回は、トラップ準位を仮定した溶液/n-GaN界面の等価回路モデルと、それを利用した電気化学インピーダンス分光(EIS)法による解析結果について報告する。