The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Thu. Sep 19, 2019 1:30 PM - 3:30 PM PB3 (PB)

1:30 PM - 3:30 PM

[19p-PB3-5] Characterization of processed n-GaN surface using an electrochemical impedance spectroscopy (2)

Kentaro Takeda1, Masachika Toguchi1, Taketomo Sato1 (1.RCIQE, Hokkaido Univ)

Keywords:electrochemical impedance spectroscopy, photo electrochemical etching

これまでに、n型GaN表面に導入された加工損傷を、溶液中の光電気化学(PEC)反応を利用して除去する低損傷エッチング法を開発し、その効果を溶液中でその場(in-situ)評価する手法を検討してきた。今回は、トラップ準位を仮定した溶液/n-GaN界面の等価回路モデルと、それを利用した電気化学インピーダンス分光(EIS)法による解析結果について報告する。