[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-8] Photo-electrochemical (PEC) etching on AlGaInN/AlGaN heterostructures (2)

〇Yuto Komatsu¹, Masachika Toguchi¹, Saki Saito², Makoto Miyoshi², Taketomo Sato¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ., 2.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:AlGaN/GaN, Photoelectrochemical etching, Recessed gate

AlGaN/GaN-HFETのゲートリセス化は，閾値電圧の制御やノーマリーオフ動作の実現に有望な手法の１つである．我々は，光電気化学(PEC: Photo-electrochemical)反応を利用したAlGaNバリア層の精密エッチング法を開発し，本手法がAlGaInN/AlGaN-HFETのゲートリセス加工にも適用可能であることを示した．今回は，AlGaInNバリア層に対するPECエッチング深さ制御性と，その面内均一性について調査した。