[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-9] Study on ohmic metals for contact resistance reduction in AlGaInN/AlGaN 2DEG heterostructures

〇HENG CHEN¹, Saki Saito¹, Hiroki Harada¹, Takashi Egawa¹, Makoto Miyoshi¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:ohmic metals, contact resistance

AlGaNチャネルHFETのポテンシャルを最大限に発揮するためには、さらなるコンタクト抵抗の低減が必須である。本研究では、従来用いていたTi/Al/Ni/Au系4層オーミック金属におけるAu成分の拡散防止を狙いとして、Ti/Al/Ti/Au系金属の適用を試みコンタクト抵抗低減の可能性を調査したので報告する。