The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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13 Semiconductors » 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

Thu. Sep 19, 2019 1:30 PM - 3:30 PM PB3 (PB)

1:30 PM - 3:30 PM

[19p-PB3-9] Study on ohmic metals for contact resistance reduction in AlGaInN/AlGaN 2DEG heterostructures

HENG CHEN1, Saki Saito1, Hiroki Harada1, Takashi Egawa1, Makoto Miyoshi1 (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:ohmic metals, contact resistance

AlGaNチャネルHFETのポテンシャルを最大限に発揮するためには、さらなるコンタクト抵抗の低減が必須である。本研究では、従来用いていたTi/Al/Ni/Au系4層オーミック金属におけるAu成分の拡散防止を狙いとして、Ti/Al/Ti/Au系金属の適用を試みコンタクト抵抗低減の可能性を調査したので報告する。