[19p-PB4-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[19p-PB4-8] Gamma-rays irradiation effect of normally-off 4H-SiC JFETs

〇Akinori Takeyama¹, Keigo Shimizu², Takahiro Makino¹, Yuichi Yamazaki¹, Takeshi Ohshima¹, Shin-ichiro Kuroki³, Yasunori Tanaka² (1.QST, 2.AIST, 3.Hiroshima Univ.)

Keywords:SiC, JFET, radiation response

ノーマリーオフ型炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ (SiC JFET)に室温にて⁶⁰Coガンマ線を照射し、ドレイン電流－ゲート電圧(I_D-V_G)特性からしきい値電圧(V_th)および相互コンダクタンス(g_m)を求めた。照射前後でI_D-V_G特性、V_th、g_mに著しい変化は見られず、ノーマリーオフ特性が維持されていた。発表では、さらに高線量域の実験結果について報告する。