[19p-PB7-1~16] 12.1 作製・構造制御

[19p-PB7-13] 三元系量子ドットの合成と単一粒子分光による発光挙動評価

〇竹村 航輝¹、岩本 和奏¹、山内 光陽¹、増尾 貞弘¹ (1.関西学院大理工)

キーワード：量子ドット、単一粒子分光、AgInS2

半導体量子ドット(QD)は、高い発光量子収率をもつ。しかし、代表的なQDであるCdTeやCdSe QDはCdを含み、実用化において毒性が懸念される。そのため、Cd-freeである三元系QDが注目されているが、欠陥発光を示すため発光量子収率が低い。本研究では、加熱法で合成したAgInS₂ QDと、ホットインジェクション法で合成したAgInS₂/ZnS, AgInS₂/GaS QDの発光挙動測定・評価した。