[19p-PB8-1~32] 12.4 有機EL・トランジスタ

[19p-PB8-17] タイムドメインリフレクトメトリ及び準静的C -V測定によるペンタセンTFTのチャネル形成ダイナミクス

〇本田 琢人¹、村上 裕章¹、酒井 正俊¹、岡田 悠悟²、貞光 雄一³、橋本 雄太³、小野寺 希望³、工藤 一浩¹ (1.千葉大院工、2.千葉大先進科学センター、3.日本化薬)

キーワード：有機半導体、キャリアダイナミクス、界面トラップ密度

有機薄膜トランジスタの初期ダイナミクスにおいて、半導体/絶縁層界面にキャリアトラップが存在し、チャネルの形成に影響を与える。そこで、界面トラップ密度とチャネル形成過程の関係を明らかにすることは、有機半導体デバイスの特性向上に貢献する。本報告では準静的C-V測定における掃引速度依存性から界面キャリアトラップ密度を抽出し、タイムドメインリフレクトメトリによるチャネル形成ダイナミクスとの関係を議論する。