[19p-PB8-1~32] 12.4 有機EL・トランジスタ

[19p-PB8-26] TiO₂絶縁膜を用いた高密度キャリア注入OFETの作製

〇大吉 優太¹、石井 亮磨¹、岡田 悠悟²、酒井 正俊¹、工藤 一浩¹ (1.千葉大院工、2.千葉大先進)

キーワード：有機半導体、低電圧、TiO2

有機半導体の特徴を生かした、ウェアラブルデバイスなどへの将来的な応用のためには、有機トランジスタの高い駆動電圧に関する問題を解決しなければならない。本研究では、トランジスタ構造で使用する絶縁膜について、nmオーダーのTiO₂層を用いて大静電容量化することで、有機トランジスタの低電圧駆動を行う。ペンタセンを用いて電界効果トランジスタを作製し伝達特性を測定した結果、-0.25Vの低閾値電圧での動作を確認した。