[20a-C310-1~12] 6.4 Thin films and New materials

△ [20a-C310-12] In Situ Observation of Crystallization Process of SiC with Si-Ag flux

〇Naoki Sannodo¹, Shingo Maruyama¹, Tomoyuki Koganezawa², Yuji Matsumoto¹ (1.Tohoku Univ., 2.JASRI)

Keywords:crystallization, silicon carbide, in situ observation

SiCの低温液相成長に向けて、SPring-8の放射光を用いたin situ 2D-XRDにより低融点のフラックスを用いたa-SiC薄膜の結晶化をその場観察した。その結果、1000℃以下の低温度域でSi-AgフラックスがSiC結晶化を促進することを見出した。また、低温液相成長に適するフラックスの条件を検討した。