2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[20a-E201-1~10] 17.3 層状物質

2019年9月20日(金) 09:00 〜 11:45 E201 (E201)

前橋 兼三(農工大)

11:30 〜 11:45

[20a-E201-10] 多層MoS2電界効果トランジスタで観測される階段状の伝達特性

〇(M2)大岡 拓也1、野内 亮1,2 (1.大阪府大院工、2.JST さきがけ)

キーワード:MoS2、電界効果トランジスタ、階段状の伝達特性

代表的な層状半導体であるMoS2をチャネル層として用いた電界効果トランジスタにおいて、通常とは異なるFET特性が見られることがある。特に多層のMoS2をチャネル材料とした場合にみられる階段状の伝達特性について報告する。この特性は薄片膜厚が厚いものほど見られやすい傾向にあり、この点を踏まえ、エッジ伝導チャネルや膜構造の不均一性の観点から議論する。