[20a-E204-1~8] 3.13 Semiconductor optical devices

[20a-E204-1] Improved Specific Detectivity of a QDIP by diffractive reflector structure

〇Yuichi Igarashi^1,2, Taizo Shibuya^1,2, Masahiro Kakuda², Yoshihiro Kitagawa^1,2, Tetsuro Satoh^1,2, Akinobu Shibuya^1,2, Masayuki Shirane^1,2, Yasuhiko Arakawa² (1.NEC Corporation, 2.NanoQuine)

Keywords:Infrared photodetector, Quantum Dot

量子ドット赤外線検出器（Quantum Dot Infrared Photodetector: QDIP）は、量子ドットの３次元的な強いキャリア閉じ込めにより、低暗電流で垂直入射光に感度を持つ波長選択性のある赤外線検出器として研究されてきた。これまで我々は、赤外線検出器の性能指標である比検出能D*を向上させるため、AlGaAs近接障壁層の導入など量子ドットを含む半導体構造を工夫することに加えて、素子表面の金属電極に周期的な円形開口を設けたプラズモンアンテナを作製してD*を向上させる試みを行ってきた。今回我々は、多画素化（焦点面アレイ化）を見据えて素子裏面から赤外線が入射する場合を想定して、入射面と反対側となる素子表面の電極に周期的円柱配列を設けた拡散反射構造によりQDIPのD*向上を試みたのでその結果について報告する。