The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[20a-E303-1~5] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Fri. Sep 20, 2019 10:30 AM - 11:45 AM E303 (E303)

Kenji Yamaguchi(QST)

10:30 AM - 10:45 AM

[20a-E303-1] Theoretical analysis of vapor composition generated from BaSi2 melt

Kosuke Hara1, Junji Yamanaka1, Keisuke Arimoto1 (1.Univ. of Yamanashi)

Keywords:silicide semiconductor, thermal evaporation

BaSi2蒸着における蒸気組成の経時変化を理論的に説明することを目指して、BaSi2融液から発生する蒸気のフラックスを熱力学により理論的に計算した。その結果、BaSi2が調和溶融した融液から発生する蒸気はBaが支配的であり、融液中のBaモル分率が減少するに従い、Siフラックスが増大することが明らかとなった。