The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-E310-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Sep 20, 2019 9:00 AM - 11:45 AM E310 (E310)

Kazunobu Kojima(Tohoku Univ.), Mark Holmes(Univ. of Tokyo)

11:30 AM - 11:45 AM

[20a-E310-10] High aspect nano-hole array fabricated by HEATE for InGaN/GaN optical waveguide type photonic crystal device

Yuta Moriya1, Yuki Ooe1, Yusei Kawasaki1, Daichi Ito1, Kouki Abe1, Kentarou Kinoshita1, Akihiko Kikuchi1,2 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Photonics Reserch Center)

Keywords:Photonic Crystals

フォトニック結晶(PhC)は光デバイスの高性能化・高機能化に有用なデバイス技術であり、近年ハニカム格子に配置した誘電体ロッドやホールにより光領域でのトポロジカルエッジ伝搬の理論予測や実験的検証も報告されている。窒化物半導体を用いた可視領域PhCの研究も行われており、本研究では可視光領域でのトポロジカル光伝搬現象の検証や高性能PhCデバイスの作製に向けたGaNナノ加工技術について報告する。