[20a-E310-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-E310-2] 極性・半極性面InGaN/GaNにおける表面プラズモン発光増強の顕微フォトルミネセンスマッピング

〇亀谷 純¹、中村 俊樹¹、村尾 文弥¹、松山 哲也¹、和田 健司¹、岡田 成仁²、只友 一行²、岡本 晃一¹ (1.阪府大院工、2.山口大院創成)

キーワード：プラズモニクス、InGaN/GaN、半極性

緑発光の発光効率はいまだ十分でない。LEDのグリーンギャップ問題を克服するため、｛11‐22｝面の様な半極性面に成長させたInGaN/GaN量子井戸が開発、研究されてきた。表面プラズモン共鳴も高効率LEDへの応用に有効である。本研究では、極性/半極性InGaN/GaN量子井戸（QW）のSP増強発光の機構を調べた。