[20a-E312-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [20a-E312-2] ALD-Al2O3 2DHGダイヤモンドMOSFETsの微細化による高周波特性評価

〇(B)荒井 雅一¹、久樂 顕¹、今西 祥一朗¹、堀川 清貴¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、高周波、MOSFET

トランジスタの高電流化・高周波化を実現のためにはゲート長LGの微細化が有効である。近年、我々は高温ALD法を用いてゲート絶縁膜・保護膜としてAl2O3を堆積させたLG = 0.5 µmの高周波ダイヤモンドMOSFETsの高周波出力電力密度を報告している。本研究では特性向上を目指しLG = 0.2 µmに微細化したALD-Al2O3 2DHGダイヤモンドMOSFETsを作製し高周波特性を評価した。