[20a-E318-1~11] 【CS.7】 Code-sharing Session of 7.2 & 7.4 & 9.5

△ [20a-E318-10] Planar-type Electron Source Based on Atomic Layer Materials of Graphene/h-BN Heterostructure

〇Tomoya Igari^1,2, Masayoshi Nagao¹, Kazutaka Mitsuishi³, Masahiro Sasaki², Yoichi Yamada², Katsuhisa Murakami^1,2 (1.AIST, 2.Univ. of Tsukuba, 3.NIMS)

Keywords:graphene, h-BN, electron source

本研究は，原子層物質であるグラフェン及びh-BNの積層構造を用いた新規平面型電子源を開発し，その電子放出特性を議論したものである．この電子源の最大放出電流は数 A/cm2と大きく，かつそのエネルギ幅は0.7 eV以下と高い単色性を示した．さらに，低電流放出時にはエネルギ幅は0.3 eV程度であり，金属冷陰極と同程度であった．また， Si基板の電子分布を反映していると思われるスペクトル形状が観測され，これは絶縁層及びゲート電極中で電子がほとんど散乱を受けずに放出していることを示唆するものである．