[20a-N304-1~8] 【CS.3】 3.10 光量子物理・技術、3.11 フォトニック構造・現象、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、11.5 接合、回路作製プロセスおよびデジタル応用、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

△ [20a-N304-2] InPナノワイヤ量子ドットの熱アニールによる直径微細化と発光特性

〇(M2)赤松 知弥¹、佐々木 正尋¹、冨岡 克広¹、本久 順一¹ (1.北大院情報科学研究科および量集センター)

キーワード：ナノワイヤ、III-V族化合物半導体

InP/InAsP/InP縦へテロ構造からなるInPナノワイヤ系量子ドットは通信波長帯用単一光子源として期待されているが、強い量子閉じ込め効果の実現が必要であり、そのためにもワイヤ径の微細化が重要になる。本研究では、熱アニールエッチング法と選択成長法を組み合わせることで、これまで困難であった20 nm径のInP ナノワイヤを形成するとともに、これを用いたInP系ナノワイヤ量子ドットの励起子発光におけるピーク幅の先鋭化を実現した。