[20a-PA5-1~2] 8.3 Plasma nanotechnology

[20a-PA5-2] Fabrication of InAlN Films by Reactive Sputtering and Reactive Evaporation with Glancing-angle Deposition Scheme

〇Yoshiyuki Nakayama¹, Daisuke Hoshi¹, Yasushi Inoue¹, Osamu Takai² (1.Chiba Inst. Technol, 2.Kanto Gakuin Univ.)

Keywords:Glancing-angle Deposition Scheme, Adsorption-induced Electrochromic

窒化インジウム(InN)薄膜は，表面吸着物の交代に伴い，明褐色から暗褐色への可逆的な色変化（吸着誘起型エレクトロクロミック：AiEC）現象を示す．AiEC現象はMoss-Bursteinシフトに由来するため，InNにAlを添加することにより，バンドギャップの拡大に伴うEC反応波長領域の短波長化，すなわち，実用面で有用な「無色から有色へ」のAiEC現象が期待できる．本研究では，反応性スパッタリング法および反応性蒸着法に斜め堆積(GLAD)法を適用して微絨毛構造化InAlNを作製し，それぞれの成膜方法で得られた試料を比較することにより，InAlN薄膜のAiEC特性において最適な成膜方法を模索することを目的とする．