[20a-PB3-1~2] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[20a-PB3-2] Suppression of Carrier Recombination at Crystalline Si Surfaces by Formation of Nanocrystalline Si layer/Si Structure

〇Yuya Onitsuka^1,2, Kentaro Imamura¹, Kobayashi Hikaru¹ (1.ISIR, Osaka Univ., 2.JSPS Research Ferrow)

Keywords:nanocrystalline silicon layer, quantum confinement effect, surface structure chemical transfer method

我々は、結晶シリコン表面に数百nm程度の微細なシリコンナノクリスタル（nc-Si）層を形成する化学的転写法を開発した。ナノサイズにまで微細化されたシリコンでは、量子サイズ効果によってバンドギャップが拡大する。そのため、nc-Si層ではバンドギャップの拡大とバンド構造の変化が観測される。本研究では、このnc-Si層/Si構造でのバンド構造の変化によって生じる、結晶シリコン表面でのキャリア再結合の防止効果を見出した。