[20p-B12-1~11] 13.9 Compound solar cells

[20p-B12-6] Growth of InGaAs solar cells on InP(001) vicinal substrates using solid-source MBE

〇(M1)Yuki Ishitsuka^1,2, Ryuji Oshima², Yoshinobu Okano¹, Takeyoshi Sugaya² (1.TCU, 2.AIST)

Keywords:III-V compound semiconductors, Solar cells, Molecular beam epitaxy

我々は，III-V族多接合太陽電池の高効率化に取り組んでいる．固体ソースMBE法を用いたInGaAsサブセルの特性向上を目指して微傾斜基板を検討した．(111)A方向に2°微傾斜させたInP(001)基板を用いることでInGaAs太陽電池の表面ラフネスが最も小さくなった．さらに，すべての太陽電池パラメータが向上し，変換効率は9.7％から12.3％に向上した．