[20p-B12-1~11] 13.9 Compound solar cells

[20p-B12-8] Fabrication of GaAs/Si double junctions by Epitaxial Lift-Off
and Surface Activated Bonding

〇(M2)Ryo Kozono¹, Liang Jienbo¹, Watanabe Kentaroh², Sugiyama Masakazu², Shigekawa Naoteru¹ (1.Osaka City Univ., 2.Research Center for Advanced Science and Technology, Univ. of Tokyo)

Keywords:Surface Activated Bonding, Epitaxial Lift-Off

我々は高効率・低コスト太陽電池実現を目指し、SAB法を用いてInGaP/GaAs/Si 3接合太陽電池の研究を行っている。多接合太陽電池の低コスト化には GaAs基板の分離及び再利用の実現が必要不可欠である。今回我々は、基板の分離及び再利用を可能にするELO法を用いて、PET film上にGaAs太陽電池エピを形成した試料とSi太陽電池をSAB法により接合し、2接合太陽電池を作製した。