The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

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Oral presentation

Joint Session K » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B31-1~17] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Fri. Sep 20, 2019 1:45 PM - 6:30 PM B31 (B31)

Takayoshi Oshima(FLOSFIA), Kohei Fujiwara(Tohoku Univ.), Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.)

1:45 PM - 2:00 PM

[20p-B31-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Fast operation of a WO3-based solid-state electrochromic flexible transistor

Takaki Onozato1, Hai Jun Cho1,2, Hiromichi Ohta1,2 (1.IST-Hokkaido Univ., 2.RIES-Hokkaido Univ.)

Keywords:electrochromic transistor, flexible

導電率変化とともに光透過率変化を情報として記憶できる新たなメモリ素子としてエレクトロクロミックトランジスタ(ECT)が注目されている。我々は2016年に全固体WO3-ECTの導電率・光透過率の同時変調を報告し、2019年にはWO3-ECTの高速動作に成功した。本講演では全作製プロセスを室温下で実現可能な本デバイスの特徴を活かした​WO3-フレキシブルECTについて報告する。