[20p-E201-1~12] Latest developments and future prospects in nano-carbon and atomic-layer materials

[20p-E201-10] p/n doping control in TMDC crystal by laser irradiation and TFET application

Hidemitsu Ouchi¹, Kota Kamiya¹, Kohei Sakanashi¹, Guehenneux Thomas¹, Kruger Peter¹, Katsuhiko Miyamoto¹, Takashige Omatsu¹, Jonathan P. Bird^1,2, 〇Nobuyuki Aoki¹ (1.Chiba Univ., 2.SUNY Buffalo)

Keywords:TMDC, Laser irradiation, Tunnel field effect transistor

我々のグループでは，「モノリシック型のTFET」の実現をめざし，とくにMoTe₂結晶に注目して研究を進めてきた。MoTe₂はTMDCの中でも比較的狭く両極性の特性が得られやすく，Te原子の欠損に起因したｐ型／ｎ型のドーピングの制御や、高強度レーザーの照射によるオーミックコンタクト形成などを明らかにしてきた。これらの要素技術をもとに，ヘテロ接合ではなく単一のMoTe₂結晶内にモノリシックに構成されたTFETの実現をめざした研究を進めている。