[20p-E202-1~17] 12.1 Fabrications and Structure Controls

△ [20p-E202-13] Fabrication of lateral pn junction diodes by wet process

〇Takemasa Tsutsui¹, Katsuhiko Fujia^1,2 (1.ASEM Kyushu Univ., 2.IMCE Kyushu Univ.)

Keywords:Organic semiconductor, Organic electronics

高分子半導体のキャリアドープ型pn接合ダイオードはサンドイッチ型素子が超希薄溶液気相濃縮スプレイ法(ESDUS)によって可能になった。キャリアドーピングで導電率が上がった有機半導体では数µmレベルの電極間隔が利用できる。今後のデバイス構築を考えると電極を平面に配置した横型構成の素子が求められる。さらにダイオードでは電子・正孔の注入のために仕事関数の異なるヘテロ電極を構成することが望ましい。本研究では数µmの狭ギャップヘテロ電極を、熱剥離シートを用いた簡便な方法で作成し、ESDUS法による高分子半導体塗布と組み合わせて横型のpn接合ダイオードの作製を行った。