[20p-E202-1~17] 12.1 Fabrications and Structure Controls

△ [20p-E202-2] In situ GIXD monitoring for giant grain growth of vacuum-deposited PTCDI-C8 thin films

〇Yusuke Takagawa¹, Shingo Maruyama¹, Tomoyuki Koganezawa², Tetsuhiko Miyadera³, Yuji Matsumoto¹ (1.Tohoku Univ., 2.JASRI, 3.AIST)

Keywords:organic semiconductor, thin film, liquid crystal

我々はN,N’-Dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide(PTCDI-C8)の真空蒸着膜において170 ℃～210℃の基板温度範囲で結晶グレインが数100 μmサイズに大きく成長することを見出した．示差走査熱量測定(DSC)との比較により，グレインの成長は液晶相からの結晶化であることが示唆されたが，詳しい成長過程は分かっていなかった．そこで今回，製膜中に微小角入射X線回折(GIXD)測定を行うことでグレイン成長過程を詳細に調べたので報告する．