[20p-E204-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[20p-E204-1] 1550nm帯量子ドットの組成混晶化領域分け技術を用いたレーザの作製

〇(M2)伊澤 昌平¹、森田 凌介¹、金子 瑠那¹、岡田 博一¹、松本 敦²、赤羽 浩一²、松島 裕一¹、石川 浩¹、宇高 勝之¹ (1.早大理工、2.情通機構)

キーワード：量子ドット